成都立芯微电子科技有限公司 main business:电子技术研发；设计、销售电子产品并提供技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；环保技术、网络技术、计算机软硬件技术、电子信息技术、能源技术、通讯设备技术研发；货物及技术进出口（国家法律、行政法规禁止的除外，国家法律、行政法规限制的取得许可后方可经营）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 510109000395805
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
- 2013年10月15日
- 宁小霖
- 100.000000
- 2013年10月15日 至 3999年01月01日
- 高新工商局
- 2014年10月28日
- 成都高新区肖家河中街43号6幢1层
- 电子技术研发；设计、销售电子产品并提供技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；环保技术、网络技术、计算机软硬件技术、电子信息技术、能源技术、通讯设备技术研发；货物及技术进出口（国家法律、行政法规禁止的除外，国家法律、行政法规限制的取得许可后方可经营）。
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103840008B | 基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺，高压LDMOS器件包括衬底，衬底为N型 |
| 2 | CN103871970A | 一种BCD集成工艺 | 2014.06.18 | 本发明公开了一种BCD集成工艺，包括以下步骤：选择N型轻掺杂厚外延衬底；在N型厚外延衬底上形成P型埋 |
| 3 | CN103840008A | 基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺 | 2014.06.04 | 本发明公开了一种基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺，高压LDMOS器件包括衬底，衬底为N型 |
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